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真空鍍膜機(jī)主要由鍍膜室、真空系統(tǒng)、電控系統(tǒng)等部分組成。而立式真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)的鍍膜室結(jié)構(gòu)主要由室體、球面行星轉(zhuǎn)動基片架、基片烘烤裝置、E型槍蒸發(fā)源、膜厚測量晶體、擋板等構(gòu)件組成。室體可采用鐘罩式或前開門式結(jié)構(gòu)。鐘罩式室體通常用于較小的鍍膜裝置(直徑不大于500mm)，前開門式室體通常用于較大的鍍膜設(shè)備。室體上均設(shè)置有觀察窗。

基片烘烤裝置的加熱元件可采用電阻加熱器、遠(yuǎn)紅外加熱管或碘鎢燈等加熱元件。根據(jù)鍍膜工藝的需要，確定烘烤溫度范圍及其加熱功率。

e型槍蒸發(fā)源固定在室體底板上，并且使其坩堝內(nèi)的膜材蒸發(fā)平面基本上與球面基片架位于同一球面上，以便保證膜厚均勻。

擋板位于坩堝上方，由鍍膜室外部的操作手柄使其遮擋膜材蒸汽流或移開擋板進(jìn)行蒸鍍。擋板的作用是為了提高膜層純度，防止高蒸汽壓雜質(zhì)蒸鍍到基片上。

膜層測量晶體是石英晶體測厚儀的傳感器，可以實(shí)現(xiàn)鍍膜過程的實(shí)時膜厚測量。目前在制備光學(xué)膜的鍍膜機(jī)中。通常采用單色儀、測厚儀、光源及測試玻片組合而成的學(xué)光測厚系統(tǒng)。以測試玻片的膜厚表征基片膜厚，用單色儀接收到的光束信號實(shí)現(xiàn)膜厚的實(shí)時測量。

為了適應(yīng)鍍膜工藝的靈活性要求，在很多該類型的鍍膜機(jī)中除了設(shè)置e型槍蒸發(fā)源外，還配備了電阻加熱式蒸發(fā)源。